一种新型CVD石墨烯干法转移方法与流程
一种新型CVD石墨烯干法转移方法 百度学术
本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法,在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶,烘箱烘干;将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出,剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜,然后将
CNA 一种新型CVD石墨烯干法转移方法 PatentGuru
2018年4月2日 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥
CVD法制备石墨烯的工艺流程详解 知乎
2021年4月30日 湿化学腐蚀基底法是常用的转移方法，典型的转移过程为：1)在石墨烯表面旋涂一定的转移介质(如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚二甲基硅氧烷(PDMS))作为支
进一步探索六种石墨烯的制备方法介绍 知乎化学气相沉积法的原理CVD技术的反应原理.PPT-原创力文档根据热度为您推荐•反馈
一种新型CVD石墨烯干法转移方法与流程 X技术网
2018年9月11日 一种新型cvd石墨烯干法转移方法，包括如下步骤： s1、配制pvp(聚乙烯吡咯烷酮)、pva(聚乙烯醇)胶体； pvp胶：称取1gpvp白色粉末，加入1ml去离子水，再向
实验用:一步法转移CVD石墨烯 知乎
2022年8月19日 湿法转移，就是以微晶科技“泡-取”式石墨烯为基础获取一步法转移石墨烯薄膜的工艺，目是较常见和较普及的转移石墨烯薄膜的方法，以自己转移石墨烯薄膜的
二维材料转移方法小综述 知乎
2020年5月17日 电化学鼓泡法由新加坡国立大学的Wang等首创，其具体步骤为，首先将PMMA旋涂于石墨烯/铜箔表面。 然后将其置入电解池中，作为阴极施加外接电压，通以
快速转移CVD石墨烯薄膜工艺 知乎
2022年9月6日 为了解决实际操作中出现的种种困难，本文介绍一种快速转移CVD石墨烯薄膜——微晶科技快速转移石墨烯薄膜可实现快速、稳定、高质量制备石墨烯薄膜；通过
石墨烯生产工艺流程介绍 知乎
2023年1月19日 图为干法转移的过程，主要分三步：（1）进行样品合成和衬底处理，用CVD法生长石墨烯并且对聚合物进行表面处理以提高与石墨烯间的吸附力;（2）将石墨
二维材料石墨烯的转移步骤讲解 知乎
2020年6月5日 石墨烯的转移与大多数二维材料相似，如图流程所示，利用PMMA对石墨烯薄膜进行支撑，形成PMMA+石墨烯+铜箔的三明治结构，再将石墨烯放入过硫酸铵或氯
一种新型CVD石墨烯干法转移方法与流程_X技术
本发明涉及化工领域，具体涉及一种新型CVD石墨烯干法转移方法。背景技术石墨烯作为一种具有高电导率、高热导率的二维材料在锂电池以及太阳能等行业已经被应用，自2004年
CNA 一种新型CVD石墨烯干法转移方法 PatentGuru
2018年4月2日 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸
李连碧 西安工程大学 理学院
2016 .2（发明专利）. [3] 李连碧，臧源等，一种新型CVD石墨烯干法转移方法, 2018.4.2, 中国, （发明专利）. [4] 李连碧，臧源，陈鸿等，柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法, 2010.6.15, 中国, （发明
Nano Res.│石墨烯转移技术—方法、挑战和未来展望 石墨烯网
2021年4月28日 要点1：转移方法 旨在实现无缺陷石墨烯的应用-质量转移的研究已经取得了显著的进展，并且已经提出了各种策略来确保有效的石墨烯转移，并通过保持其结构完整性来保持石墨烯的独特性质。 转移过程还可以成功地展平，合成过程中由于金属基底和石墨烯之间的热膨胀系数差异而产生的石墨烯褶皱，例如通过石蜡支撑的转移。 此外，在评估石
二维材料的转移方法 物理学报
2020年8月30日 本文综述了一些具有代表性的转移方法, 详细介绍了各个方法的操作步骤, 并基于转移后样品表面清洁程度、转移所需时间以及操作难易等方面对各个转移方法进行了对比归纳. 经典干、湿法转移技术是进行物理堆叠制备原子级平整且界面清晰范德瓦耳斯异质结的常用手段, 结合惰性气体保护或在真空条件下操作还可以避免转移过程中二维材料破损和
石墨烯生产工艺流程介绍_金属
2018年9月23日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大
观点丨CVD法制备石墨烯的工艺流程详解 材料牛
2018年1月16日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20 min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30 min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到
Nano Res.│石墨烯转移技术—方法、挑战和未来展望|拉曼|电
2021年5月2日 2. 概述了石墨烯的清洁方法和直接生长方法；3. 总结了石墨烯转移技术的未来发展路线。研究背景 石墨烯是一种具有独特性质的材料，可用于电子、催化、能源和生物相关领域。为了最大限度地利用这种材料，在生长过程中和将石墨烯薄膜转移到应用兼容的衬底
一种新型CVD石墨烯干法转移方法与流程_2 X技术网
2018年9月11日 本发明涉及化工领域，具体涉及一种新型CVD石墨烯干法转移方法。背景技术石墨烯作为一种具有高电导率、高热导率的二维材料在锂电池以及太阳能等行业已经被应用，自2004年曼彻斯特大学教授、诺贝尔奖得主盖姆等人使用石墨解离出石墨烯以来的14年间，关于石墨烯的研究如火如荼，石墨烯的制备
石墨烯生产工艺流程介绍 知乎
2023年1月19日 在干法转移中，金属基底没有被刻蚀掉，可以重复利用，使转移成本大大降低，此外，转移到聚合物上的石墨烯质量很高，但缺陷还是存在的。理论上来说，这种方法能够将CVD生长的石墨烯转移到各种有机或者无机衬底上。第二种工艺：机械剥离技术
绝对干货丨CVD法制备石墨烯的工艺流程详解 石墨烯网
2018年1月16日 石墨烯的主要制备方法包括：微机械分离法、氧化石墨-还原法、取向附生法、化学气相沉积法、加热SIC法、外延生长法、溶剂剥离法等，各种方法各有利弊，今我们主要聊聊化学气相沉积法（CVD法）制备石墨烯的工艺流程。 我们知道，石墨烯的发现源于最初用透明胶带从石墨晶体上“粘”出一片
李连碧 西安工程大学 理学院
2016 .2（发明专利）. [3] 李连碧，臧源等，一种新型CVD石墨烯干法转移方法, 2018.4.2, 中国, （发明专利）. [4] 李连碧，臧源，陈鸿等，柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法, 2010.6.15, 中国, （发明
Nano Res.│石墨烯转移技术—方法、挑战和未来展望 石墨烯网
2021年4月28日 要点1：转移方法 旨在实现无缺陷石墨烯的应用-质量转移的研究已经取得了显著的进展，并且已经提出了各种策略来确保有效的石墨烯转移，并通过保持其结构完整性来保持石墨烯的独特性质。 转移过程还可以成功地展平，合成过程中由于金属基底和石墨烯之间的热膨胀系数差异而产生的石墨烯褶皱，例如通过石蜡支撑的转移。 此外，在评估石
石墨烯转移:为化学气相沉积石墨烯的应用铺平道路_进行
2021年4月15日 2021-04-15 08:48 北京大学刘忠范课题组综述了当石墨烯转移技术的最新进展，并总结了石墨烯转移过程中面临的裂纹、不均匀掺杂、褶皱及表面污染等不可避免的主要问题，为未来工业应用中的大面积石墨烯薄膜转移提供了一个展望。 石墨烯在金属衬底上的化学气相沉积（CVD）生长为以可控方式大面积合成石墨烯提供了巨大可能。 但是，
如何制造石墨烯？ 知乎
2020年7月23日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到金属
深圳大学学报理工版 szu.edu.cn
2002年7月23日 与铜基石墨烯转移类似,湿法转移的基本步骤包括:① 在生长有二维材料的基底上旋涂聚合物,待其固化形成支撑和保护层; ② 以特定溶液溶解基底,使二维材料脱离原始基底,通过目标基底“捞取”溶液中被聚合物支撑的二维材料,将其转移到目标基底; ③ 溶解掉支撑层,经去离子水反复漂洗腐蚀液,烘干
化学气相沉积法（CVD法）制备石墨烯的工艺流程 半导体百科
2021年6月20日 化学气相沉积法(CVD)是一种在相对而言比较高的温度下，通过化学反应对含碳化合物进行分解，然后使得石墨烯在基片上生长出来的技术。通常是在基底的表面形成一种过渡金属(如Cu、Co、Pt、Ir、Ru及Ni等)薄膜，以此薄膜作为催化剂，然后用CH 4 作为碳源，用气相解离的方法解离过渡金属薄膜，使得
观点丨CVD法制备石墨烯的工艺流程详解 材料牛
2018年1月16日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20 min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30 min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到
Nano Res.│石墨烯转移技术—方法、挑战和未来展望|拉曼|电
2021年5月2日 2. 概述了石墨烯的清洁方法和直接生长方法；3. 总结了石墨烯转移技术的未来发展路线。研究背景 石墨烯是一种具有独特性质的材料，可用于电子、催化、能源和生物相关领域。为了最大限度地利用这种材料，在生长过程中和将石墨烯薄膜转移到应用兼容的衬底
一种石墨烯转移方法与流程 X技术网
2019年3月27日 一种石墨烯转移方法与流程 文档序号： 发布日期：2019-03-27 10:15 阅读：402 来源：国知局 导航： X技术 > 最新专利 > 无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术 本发明涉及石墨烯转移技术领域，尤其涉及一种石墨烯转移方法。 背景技术： 目，石墨烯的合成方法研究取得了巨大的研究进展，其中化学气相沉积法 (cvd)以及外延
一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法与流程
本发明属于石墨烯薄膜制备技术领域，特别是涉及一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法。背景技术自2004年两位在俄罗斯出生的科学家AndreGeim和KonstantinNovoselov发表第一篇有关石墨烯的论文后，石墨烯在科学界激起了巨大的波澜，它的出现有望在现代电子科技领域引发新一轮革命。石墨烯具备很多
一种新型CVD石墨烯干法转移方法与流程 X技术网
2018年9月11日 一种新型cvd石墨烯干法转移方法，包括如下步骤： s1、配制pvp(聚乙烯吡咯烷酮)、pva(聚乙烯醇)胶体； pvp胶：称取1gpvp白色粉末，加入1ml去离子水，再向
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2022年8月19日 湿法转移，就是以微晶科技“泡-取”式石墨烯为基础获取一步法转移石墨烯薄膜的工艺，目是较常见和较普及的转移石墨烯薄膜的方法，以自己转移石墨烯薄膜的
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2020年5月17日 电化学鼓泡法由新加坡国立大学的Wang等首创，其具体步骤为，首先将PMMA旋涂于石墨烯/铜箔表面。 然后将其置入电解池中，作为阴极施加外接电压，通以
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2022年9月6日 为了解决实际操作中出现的种种困难，本文介绍一种快速转移CVD石墨烯薄膜——微晶科技快速转移石墨烯薄膜可实现快速、稳定、高质量制备石墨烯薄膜；通过
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2023年1月19日 图为干法转移的过程，主要分三步：（1）进行样品合成和衬底处理，用CVD法生长石墨烯并且对聚合物进行表面处理以提高与石墨烯间的吸附力;（2）将石墨
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2020年6月5日 石墨烯的转移与大多数二维材料相似，如图流程所示，利用PMMA对石墨烯薄膜进行支撑，形成PMMA+石墨烯+铜箔的三明治结构，再将石墨烯放入过硫酸铵或氯
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2018年4月2日 本发明公开了一种新型CVD石墨烯干法转移方法，在石墨烯/铜箔上依次旋涂配置的PVP胶和PVA胶，烘箱烘干；将所得的PVA/PVP/石墨烯/铜箔取出，剥离PVA/PVP/石墨烯薄膜，然后将剥离的薄膜转移至两片透明载玻片中间，预热，使薄膜自然舒展后，浸入温热的无水乙醇中5s后取出，粘附在清洗过后的衬底上，待自然晾干后，置于75℃的水蒸
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2016 .2（发明专利）. [3] 李连碧，臧源等，一种新型CVD石墨烯干法转移方法, 2018.4.2, 中国, （发明专利）. [4] 李连碧，臧源，陈鸿等，柔性石墨烯基硅纳米线异质结的制备与转移方法, 2010.6.15, 中国, （发明
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2021年4月28日 要点1：转移方法 旨在实现无缺陷石墨烯的应用-质量转移的研究已经取得了显著的进展，并且已经提出了各种策略来确保有效的石墨烯转移，并通过保持其结构完整性来保持石墨烯的独特性质。 转移过程还可以成功地展平，合成过程中由于金属基底和石墨烯之间的热膨胀系数差异而产生的石墨烯褶皱，例如通过石蜡支撑的转移。 此外，在评估石
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2020年8月30日 本文综述了一些具有代表性的转移方法, 详细介绍了各个方法的操作步骤, 并基于转移后样品表面清洁程度、转移所需时间以及操作难易等方面对各个转移方法进行了对比归纳. 经典干、湿法转移技术是进行物理堆叠制备原子级平整且界面清晰范德瓦耳斯异质结的常用手段, 结合惰性气体保护或在真空条件下操作还可以避免转移过程中二维材料破损和
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2018年9月23日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大
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2018年1月16日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20 min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30 min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到
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2021年5月2日 2. 概述了石墨烯的清洁方法和直接生长方法；3. 总结了石墨烯转移技术的未来发展路线。研究背景 石墨烯是一种具有独特性质的材料，可用于电子、催化、能源和生物相关领域。为了最大限度地利用这种材料，在生长过程中和将石墨烯薄膜转移到应用兼容的衬底
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2018年9月11日 本发明涉及化工领域，具体涉及一种新型CVD石墨烯干法转移方法。背景技术石墨烯作为一种具有高电导率、高热导率的二维材料在锂电池以及太阳能等行业已经被应用，自2004年曼彻斯特大学教授、诺贝尔奖得主盖姆等人使用石墨解离出石墨烯以来的14年间，关于石墨烯的研究如火如荼，石墨烯的制备
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2023年1月19日 在干法转移中，金属基底没有被刻蚀掉，可以重复利用，使转移成本大大降低，此外，转移到聚合物上的石墨烯质量很高，但缺陷还是存在的。理论上来说，这种方法能够将CVD生长的石墨烯转移到各种有机或者无机衬底上。第二种工艺：机械剥离技术
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2018年1月16日 石墨烯的主要制备方法包括：微机械分离法、氧化石墨-还原法、取向附生法、化学气相沉积法、加热SIC法、外延生长法、溶剂剥离法等，各种方法各有利弊，今我们主要聊聊化学气相沉积法（CVD法）制备石墨烯的工艺流程。 我们知道，石墨烯的发现源于最初用透明胶带从石墨晶体上“粘”出一片
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2021年4月15日 2021-04-15 08:48 北京大学刘忠范课题组综述了当石墨烯转移技术的最新进展，并总结了石墨烯转移过程中面临的裂纹、不均匀掺杂、褶皱及表面污染等不可避免的主要问题，为未来工业应用中的大面积石墨烯薄膜转移提供了一个展望。 石墨烯在金属衬底上的化学气相沉积（CVD）生长为以可控方式大面积合成石墨烯提供了巨大可能。 但是，
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2020年7月23日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到金属
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2002年7月23日 与铜基石墨烯转移类似,湿法转移的基本步骤包括:① 在生长有二维材料的基底上旋涂聚合物,待其固化形成支撑和保护层; ② 以特定溶液溶解基底,使二维材料脱离原始基底,通过目标基底“捞取”溶液中被聚合物支撑的二维材料,将其转移到目标基底; ③ 溶解掉支撑层,经去离子水反复漂洗腐蚀液,烘干
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2021年6月20日 化学气相沉积法(CVD)是一种在相对而言比较高的温度下，通过化学反应对含碳化合物进行分解，然后使得石墨烯在基片上生长出来的技术。通常是在基底的表面形成一种过渡金属(如Cu、Co、Pt、Ir、Ru及Ni等)薄膜，以此薄膜作为催化剂，然后用CH 4 作为碳源，用气相解离的方法解离过渡金属薄膜，使得
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2018年1月16日 CVD法制备石墨烯的基本过程是：把基底金属箔片放入炉中，通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右，稳定温度，保持20 min左右；然后停止通入保护气体，改通入碳源（如甲烷）气体，大约30 min，反应完成；切断电源，关闭甲烷气体，再通入保护气体排净甲烷气体，在保护气体的环境下直至管子冷却到室温，取出金属箔片，得到
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2021年5月2日 2. 概述了石墨烯的清洁方法和直接生长方法；3. 总结了石墨烯转移技术的未来发展路线。研究背景 石墨烯是一种具有独特性质的材料，可用于电子、催化、能源和生物相关领域。为了最大限度地利用这种材料，在生长过程中和将石墨烯薄膜转移到应用兼容的衬底
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2019年3月27日 一种石墨烯转移方法与流程 文档序号： 发布日期：2019-03-27 10:15 阅读：402 来源：国知局 导航： X技术 > 最新专利 > 无机化学及其化合物制造及其合成,应用技术 本发明涉及石墨烯转移技术领域，尤其涉及一种石墨烯转移方法。 背景技术： 目，石墨烯的合成方法研究取得了巨大的研究进展，其中化学气相沉积法 (cvd)以及外延
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